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MOS管STF20NM50FP参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF20NM50FP是一种常见的N沟道功率MOSFET,具有高效能和广泛的应用场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STF20NM50FP常被用作开关元件。由于其低导通电阻和快速开关速度,可以显著提高电源的效率和性能。

    2. 电动汽车:在电动汽车的驱动系统和电池管理系统中,STF20NM50FP可用于电机控制和电池保护,确保系统的稳定运行和高效能量传输。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,STF20NM50FP作为逆变器的开关器件,能够提高逆变效率和减少能量损失,助力绿色能源的发展。

    4. 电机驱动:在各种工业电机驱动中,STF20NM50FP能够提供高效的电流控制,确保电机的稳定运行和长寿命。

    5. 消费电子产品:在智能手机、笔记本电脑等消费电子产品中,STF20NM50FP用于电源管理,帮助设备实现低功耗和高性能。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STF20NM50FP的低导通电阻为0.16欧姆,确保在开关状态下具有较低的功耗和高效率。

    - 漏源电压(VDSS):STF20NM50FP的漏源电压高达500V,能够在高压环境中稳定工作,适用于多种高压应用场景。

    - 漏极电流(ID):STF20NM50FP的最大连续漏极电流为20A,能够处理大电流应用,提供强大的电流驱动能力。

    - 栅极电荷(Qg):STF20NM50FP的总栅极电荷为85nC,表明其在开关时的能量消耗较低,适合高频率开关应用。

    - 结温(TJ)范围:STF20NM50FP的结温范围为-55°C至150°C,能够在宽温度范围内工作,适应各种恶劣的工作环境。

    综上所述,STF20NM50FP展示了其在多种应用场景中的广泛适用性和卓越性能。这些特性使其成为电力电子领域中的重要元件,广泛应用于开关电源、电动汽车、太阳能逆变器、电机驱动和消费电子产品等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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