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MOS管STF20NM50FD参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF20NM50FD是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STF20NM50FD在开关电源中发挥重要作用,能够在高频下高效地转换电能,提高电源的整体效率。

    2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter):在直流-直流转换器中,STF20NM50FD被用于高效的电能转换,适用于需要稳定输出电压的设备。

    3. 电动工具:许多电动工具需要高效且耐用的电源开关器件,STF20NM50FD因其高可靠性和耐用性,成为这类应用的理想选择。

    4. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,STF20NM50FD用于控制电池充电和放电过程,以延长电池寿命和提高安全性。

    5. 工业控制系统:工业控制系统中需要高效的功率管理器件,STF20NM50FD能够提供高效的功率转换和管理,确保系统的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STF20NM50FD的最大导通电阻为0.18Ω,能够在高电流下保持低损耗,提高效率。

    - 漏源电压(VDS):该器件的漏源电压最高可达500V,使其适用于高压应用。

    - 最大漏极电流(ID):STF20NM50FD的最大连续漏极电流为20A,能够处理高电流负载。

    - 栅极电荷(Qg):栅极电荷为100nC,有助于减少开关损耗,提高开关速度。

    - 热阻(RthJC):STF20NM50FD的结到壳的热阻为1.8°C/W,有助于更好地散热,确保器件在高功率应用中的可靠性。

    通过这些参数的综合表现,STF20NM50FD在高效能和高可靠性应用中展示了卓越的性能。这些特点使得STF20NM50FD成为各种电源管理、转换设备以及其他需要高效能和可靠性的应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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