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MOS管STF20NK50Z参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.27ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STF20NK50Z是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,尤其适用于以下场景:

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):由于其高效的开关特性和低导通电阻,STF20NK50Z常用于开关电源中,以提高效率并减少功耗。其低栅极电荷和快速的开关速度使其能够在高频操作中保持高效率。

    2. 电动机控制:在工业和消费类应用中,STF20NK50Z被用于电动机驱动电路。其耐高压特性使其适合用于控制大功率电机,同时其低导通电阻帮助减少能量损耗。

    3. 逆变器和变频器:STF20NK50Z的高电压和高电流处理能力使其适合用于太阳能逆变器和变频器中,用于转换直流电源到交流电源,或在电机控制中实现调速。

    4. 照明系统:在现代LED照明系统中,STF20NK50Z被用于恒流驱动电路,以提供稳定的电流和高效率。它的稳定性能确保了LED灯具的长寿命和可靠性。

    5. 家电控制:STF20NK50Z也被广泛应用于家电的控制电路中,如洗衣机、空调和冰箱等,利用其高效的开关特性来实现精准的功率控制和节能效果。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDSS):STF20NK50Z具有高达500V的漏源电压,这使其能够处理高电压应用,适合用于各种工业和消费类电源电路。

    - 导通电阻(RDS(on)):在典型情况下,其最大导通电阻仅为0.22Ω,保证了低功耗和高效率,尤其在高电流通过时能够有效减少损耗。

    - 最大漏极电流(ID):STF20NK50Z的最大漏极电流为20A,使其能够处理大功率负载,适合用于高功率应用中。

    - 栅极电荷(Qg):其低栅极电荷(约60nC)使得STF20NK50Z能够在高频下快速开关,减少开关损耗,提升整体电路的效率。

    - 热阻(RθJA):STF20NK50Z的封装设计提供了良好的热性能,典型的热阻为62.5°C/W,能够有效地散热,确保器件在高功率情况下的稳定运行。

    综上所述,STF20NK50Z展现了其在高效能量转换、高频开关和高电压处理方面的优越性能,是现代电力电子设备中不可或缺的关键元件。在不同的应用场景中,STF20NK50Z都能够提供稳定、可靠的性能,满足严苛的技术要求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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