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MOS管STF20N65M5参数

PD最大耗散功率:130WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.19ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF20N65M5是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STF20N65M5主要用于高效能的功率转换,提供稳定的输出电压,同时降低功率损耗。

    2. 电机驱动:STF20N65M5适用于各种电机驱动电路,尤其是在需要高效率和高功率的工业应用中表现突出。

    3. 逆变器:在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中,STF20N65M5用于DC-AC转换,确保高效的电能转换和可靠的电流传输。

    4. 照明系统:适用于LED照明驱动器,STF20N65M5能提供高效的电源管理,延长LED的使用寿命。

    5. 电动汽车充电器:在电动汽车充电系统中,STF20N65M5用于实现高效的电能传输和转换,提升充电效率。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):650V。STF20N65M5具有650V的高漏源电压,使其适用于高压应用场景,确保电路的稳定性和安全性。

    - 最大连续漏极电流(Id):20A。STF20N65M5可以承受高达20A的连续漏极电流,适合高电流需求的应用,如电机驱动和电源管理。

    - 导通电阻(Rds(on):< 0.27Ω。低导通电阻确保了STF20N65M5在开关状态下的低功率损耗,提高了整体系统的效率。

    - 栅极电荷(Qg):65nC。低栅极电荷使得STF20N65M5能够实现快速开关,有效降低了开关损耗,适用于高频率操作的应用场景。

    - 工作温度范围(Tj):-55°C 至 +150°C。宽广的工作温度范围使得STF20N65M5能够在各种严苛环境下稳定工作,确保其在工业和商业应用中的可靠性。

    综上所述,STF20N65M5凭借其出色的性能和可靠的参数特点,在高效能、高可靠性的电力电子应用中占据了重要地位。无论是在工业控制、电动汽车充电、还是照明系统中,STF20N65M5都能提供优异的表现,满足不同场景的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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