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MOS管STF19NM65N参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:15.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.27ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF19NM65N是一款适用于多种电力电子应用的N沟道MOSFET。它具有高压、高速开关特性,以及低导通电阻和低栅极电荷的优点,使其在多种电力转换和控制应用中广泛使用。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STF19NM65N常用于开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)和不间断电源(UPS)中。在这些应用中,它的高效能和低损耗特性能够有效提升系统的整体效率和稳定性。

    2. 逆变器电路:在太阳能逆变器和电动汽车的逆变器系统中,STF19NM65N的高耐压和高速开关能力使其能够处理高电压和大电流转换,从而提供高效的电能转换。

    3. 电机控制:STF19NM65N还适用于电机驱动和控制系统,尤其是在工业自动化和家用电器中。其低导通电阻和快速开关特性有助于降低开关损耗,提高系统响应速度。

    4. 照明控制:在LED驱动和调光电路中,STF19NM65N的低开关损耗和高可靠性特点,使其成为调节和控制电流的理想选择,从而实现高效的照明控制。

    5. 消费电子产品:该器件也适用于高效充电器、便携式设备和音频放大器等消费电子产品中。STF19NM65N的低热阻和高功率密度特性,能够帮助这些设备实现小型化和高效能。

    二、参数特点:

    - 电压和电流能力:STF19NM65N的耐压为650V,能够处理大电压范围的应用。其漏极电流额定值为19A,适用于高电流应用场景。

    - 导通电阻:其典型的导通电阻仅为0.24Ω,这意味着在导通状态下,该器件的功率损耗较低,有助于提高系统效率。

    - 栅极电荷:STF19NM65N的总栅极电荷较低,使其能够实现快速的开关速度,有利于减少开关损耗和EMI干扰。

    - 热特性:该器件的热阻较低,封装采用TO-220FP,这种封装形式有利于散热管理,适合在需要良好热性能的应用中使用。

    - 可靠性:STF19NM65N具备高可靠性和耐用性,能够在严苛的工作环境中保持稳定的性能,使其适用于需要高可靠性的工业和商业应用中。

    综上所述,STF19NM65N凭借其优异的电气性能和热性能,广泛应用于电源管理、逆变器电路、电机控制、照明控制和消费电子产品等领域。这款MOSFET的多功能性和高效能,使其成为各种电力电子设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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