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MOS管STF18NM80参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:0.295ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF18NM80是一款高压N沟道功率MOSFET,其在多种电子设备和电路中都有广泛的应用。本文将详细介绍STF18NM80的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:STF18NM80常用于开关电源(SMPS)中,尤其是在高压DC-DC转换器中。由于其高电压和高效率的特点,它能够有效地处理输入输出之间的高电压差异,从而提高转换效率。

    2. 电机驱动:在工业和消费级电机控制应用中,STF18NM80作为电机驱动的关键组件,能够承受电机启动和运行过程中的高压和高电流。这使其成为用于电动车辆、电动工具和家用电器等领域的理想选择。

    3. 照明系统:STF18NM80也常用于高压LED驱动器中,尤其是在需要精确电流控制和高效率的情况下。其低导通电阻和快速开关特性使其能够有效驱动高亮度LED阵列,同时保持低功耗。

    4. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,STF18NM80用来处理从直流到交流的转换过程。其高压处理能力和快速响应时间对于这些应用中的高频开关操作至关重要。

    5. 充电设备:STF18NM80在电动车充电桩和快速充电器中得到应用。它能够承受高压输入并高效地管理能量传输,确保快速稳定的充电过程。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:STF18NM80的最大漏源电压(Vds)为800V,使其适用于高压应用。这一特点确保了器件在高压电路中具有足够的安全裕度。

    - 导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))较低,约为0.65Ω。这一特性有助于减少功耗,提升整体电路效率,尤其是在高电流应用中。

    - 开关速度:STF18NM80具有快速的开关速度,其栅极电荷(Qg)较低,约为70nC。这使其能够快速响应控制信号,在高频开关应用中提供良好的性能。

    - 功耗管理:该器件的总功耗(Ptot)为125W,能够在高功率应用中维持稳定的操作。这对于需要处理大量电能的设备来说尤为重要。

    - 热性能:STF18NM80具备良好的热性能,其热阻(Rthj-case)为0.9℃/W,这意味着它能有效地散热,保持器件的稳定工作状态。

    综上所述,STF18NM80凭借其卓越的电气特性和广泛的应用场景,成为了高压和高效率电路设计中的重要元件。在各种需要高压、高效率和快速响应的场合,STF18NM80都能发挥其优势,提供可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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