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MOS管STF18NM60N参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.285ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF18NM60N是一款性能优异的N沟道功率MOSFET,它广泛应用于各种电子设备中,特别是对高效能和高可靠性要求较高的场合。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STF18NM60N在开关电源中扮演关键角色,其低导通电阻和快速开关特性,使其在高效能和低功耗设计中备受青睐。它可以显著提高电源转换效率,减少热损耗,从而延长设备寿命。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,STF18NM60N的高耐压特性和大电流处理能力,使其能够稳定驱动各种类型的电机。无论是工业应用中的大型电机,还是家用电器中的小型电机,STF18NM60N都能提供可靠的驱动解决方案。

    3. 逆变器:逆变器应用中,STF18NM60N由于其优异的开关性能和低导通电阻,能够实现高效的直流转交流转换。这使其在太阳能发电系统和不间断电源(UPS)中得以广泛应用,提升系统的整体效率。

    4. 照明控制:现代LED照明系统要求高效和高可靠性,STF18NM60N的特性完美契合这些需求。它在调光电路和恒流驱动电路中表现出色,确保LED灯具的稳定工作和长寿命。

    5. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,STF18NM60N用于电池管理系统的开关和保护电路。其高可靠性和耐用性,保证了电池组的安全和高效运行。

    二、参数特点:

    - 耐压性高:STF18NM60N的漏源极耐压高达600V,适用于高压应用场景,确保在高电压条件下的稳定工作。

    - 导通电阻低:其典型导通电阻仅为0.18Ω,这意味着在工作过程中产生的热量较少,有助于提高整体电路的效率和可靠性。

    - 开关速度快:STF18NM60N的开关速度非常快,适合高频开关应用。其快速的开关性能不仅降低了开关损耗,还提升了系统的响应速度。

    - 大电流处理能力:最大漏极电流可达18A,使其能够处理大功率负载,这对于需要高电流驱动的应用场景非常重要。

    - 热管理性能优异:由于其低导通电阻和高效的开关特性,STF18NM60N在工作过程中产生的热量较少,从而减少了对散热系统的需求,提升了系统设计的灵活性。

    综上所述,STF18NM60N凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,成为各类高效能电子设备中不可或缺的关键元件。无论是在开关电源、电机驱动、逆变器、照明控制还是电池管理系统中,STF18NM60N都展现出其独特的优势和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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