PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.28ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理: STF18N60M2 在电源管理中被广泛应用,可用于设计高效的开关电源,实现能源转换和电流控制。
2. 电机驱动器: STF18N60M2 在电机驱动器中作为功率开关,用于控制电机的启停和调速,其高电流承受能力使其在这一领域表现突出。
3. 照明系统: STF18N60M2 用作LED驱动器的关键组件,通过调节LED的电流实现照明亮度和颜色的控制,适用于各种照明环境。
4. 电源开关和逆变器: STF18N60M2 被应用于电源开关和逆变器电路中,能够快速、高效地开关电路,实现电源转换和逆变操作。
5. 其他应用:除了以上提到的领域外,STF18N60M2 还可用于各种需要高性能MOSFET的电子设备和电路中。
二、参数特点:
1. 低导通电阻: STF18N60M2 具有较低的导通电阻,能够减少功率损耗,提高电路效率。
2. 高耐压能力: STF18N60M2 能够承受较高的电压,保证电路稳定性和可靠性。
3. 高温性能: STF18N60M2 在高温环境下仍能保持稳定性能,适用于各种工作条件。
4. 高电流承受能力: STF18N60M2 能够承受较大的电流,适用于需求较高功率的应用场景。
5. 可靠性: STF18N60M2 具有良好的可靠性,长期稳定运行,适用于工业级和商业级电子设备。
综上所述,STF18N60M2 作为一款高性能的N沟道MOSFET,在电源管理、电机驱动器、照明系统和电源开关等领域都有着广泛的应用。其优秀的参数特点使其成为电子设备设计中的理想选择,能够满足各种需求,并保证设备的稳定运行。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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