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MOS管STF17NF25参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.165ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.55AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF17NF25是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STF17NF25由于具有低导通电阻和快速开关速度,非常适合用于开关电源中,提高电源效率并减少能量损耗。

    2. 电机控制:在电机驱动应用中,STF17NF25的低导通电阻和高电流处理能力使其能够有效控制电机的启动和停止,提供平稳的运行体验。

    3. 功率放大器:在音频和射频功率放大器中,STF17NF25凭借优越的线性度和高功率处理能力,被用于信号的放大和处理。

    4. 逆变器和UPS系统:由于高效的开关性能,STF17NF25广泛用于逆变器和不间断电源系统中,实现稳定的电力转换和供应。

    5. 工业自动化设备:在工业自动化领域,STF17NF25常用于驱动各种执行器和传感器,为设备提供可靠的功率控制。

    二、参数特点:

    - 最大漏极电流(I_D):STF17NF25能够承受高达17A的最大漏极电流,适用于高电流处理的应用。

    - 导通电阻(R_DS(on)):STF17NF25的典型导通电阻为0.065Ω(在V_GS = 10V时),低导通电阻意味着更低的功率损耗和更高的效率。

    - 最大漏源电压(V_DS):该器件的最大漏源电压为250V,适用于较高电压的应用场景。

    - 栅极电荷(Qg):STF17NF25的总栅极电荷较低,使其在高频开关应用中表现出色,减少驱动功耗。

    - 热阻(RθJC):该器件具有良好的热性能,典型的结到壳热阻为1.5°C/W,有助于提高热管理能力。

    综上所述,STF17NF25是一款高性能的功率MOSFET,适用于多种电力电子应用。其低导通电阻、高电流处理能力和良好的热管理性能,使其成为电子设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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