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MOS管STF16NM50N参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.26ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF16NM50N是一种高效能的N沟道功率MOSFET,在电子和电力应用中具有广泛的应用场景和显著的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STF16NM50N常用于电源管理、电机控制和开关电源等领域。在电源管理方面,它被广泛用于DC-DC转换器和电源适配器中,因其低导通电阻和高击穿电压,使得电源转换效率更高,热损耗更低。

    2. 电机控制:在电机控制中,STF16NM50N的快速开关特性和高电流处理能力使其适合驱动各种类型的电机,包括直流电机和无刷直流电机。

    3. 开关电源:此外,它也常用于开关电源(SMPS)中,提供高效的电能转换和调节功能,适用于各类电子设备的电源供应。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压和低导通电阻:STF16NM50N的主要参数特点包括:高达500V的击穿电压和低至0.27Ω的导通电阻。这些特性使其在高电压、大电流的应用中表现出色,提供了低损耗和高效率的解决方案。

    - 快速开关速度:此外,STF16NM50N具备快速的开关速度,这对于需要频繁开关操作的电路尤其重要,如高频开关电源和逆变器。

    - 高电流处理能力:它的最大漏极电流为16A,能够处理较大的负载,同时,其栅极电荷和输入电容也相对较低,进一步提升了开关效率。

    - 热稳定性和可靠性:STF16NM50N还具有良好的热稳定性和可靠性,适合在宽温度范围内工作。

    综上所述,STF16NM50N以其高效、可靠的性能,在各种电力电子应用中发挥着重要作用。其低导通电阻、高击穿电压以及快速开关特性,确保了在严苛工作条件下的卓越表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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