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MOS管STF16N65M5参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.279ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF16N65M5是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STF16N65M5常用于开关电源、DC-DC转换器和AC-DC适配器等电源管理系统中。其高电压和高电流处理能力,使其在提高转换效率和减少能量损耗方面表现出色。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和驱动电路中,STF16N65M5因其低导通电阻和快速开关速度,能够有效降低能耗并提高系统的可靠性和效率。

    3. 工业自动化:在工业控制系统中,STF16N65M5用于驱动电机和执行器,其耐高压和大电流特性,使其适合严苛的工业环境。

    4. 家用电器:许多现代家用电器如空调、冰箱和洗衣机等,都依赖于STF16N65M5来实现高效的电能转换和控制,提供稳定的性能。

    5. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,STF16N65M5被用作逆变器的关键组件,能够承受高压并提供高效的电能转换,提升光伏系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):STF16N65M5的漏源电压高达650V,使其能够在高压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    - 导通电阻(Rds(on):其最大导通电阻为0.36Ω,在导通状态下能够有效减少电能损耗,提高系统的整体效率。

    - 漏极电流(Id):STF16N65M5的最大漏极电流为16A,支持大电流负载,适合高功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):其总栅极电荷为85nC,具有快速的开关速度,能够实现高频率的开关操作,减少开关损耗。

    - 热阻(RthJC):STF16N65M5的结-壳热阻为0.55℃/W,具有良好的散热性能,在高温环境下能保持稳定的工作状态。

    - 封装类型:STF16N65M5采用TO-220封装,具备良好的热管理和机械稳定性,易于安装和使用。

    综上所述,STF16N65M5凭借其高电压、高电流、低导通电阻和快速开关速度等优异参数,广泛应用于电源管理、电动汽车、工业自动化、家用电器和光伏逆变器等多个领域。其高效、可靠的性能使其成为各种高要求应用场景的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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