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MOS管STF16N65M2参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF16N65M2是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STF16N65M2在开关电源中起到关键作用,能够有效地控制电能转换,提高电源的效率。它的高击穿电压和低导通电阻使其在高功率转换应用中表现出色。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STF16N65M2作为开关元件,用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关能力和高可靠性,确保了电机的平稳运行和长寿命。

    3. 逆变器:STF16N65M2被广泛应用于太阳能和风能逆变器中,用于将直流电转换为交流电。其高效的电能转换能力,能够最大限度地利用可再生能源。

    4. 照明系统:在现代LED照明系统中,STF16N65M2作为驱动元件,能够提供稳定的电流输出,确保LED灯的亮度和寿命。

    5. 电池管理系统:在电池管理系统中,STF16N65M2被用来控制电池的充放电过程,提高电池的使用效率和安全性。

    二、参数特点:

    - 击穿电压(Vds):STF16N65M2的击穿电压高达650V,能够在高压应用中提供可靠的性能,避免电压击穿。

    - 导通电阻(Rds(on)):其低导通电阻(典型值为0.34Ω),在导通状态下能够减少功率损耗,提高效率。

    - 最大漏极电流(Id):STF16N65M2的最大漏极电流为16A,能够处理高电流应用,确保设备的稳定运行。

    - 栅极电荷(Qg):低栅极电荷(典型值为72nC),使得STF16N65M2能够实现快速开关,减少开关损耗,提高系统效率。

    - 热性能:STF16N65M2具有优异的热性能,其热阻(Rthj-c)为1.5°C/W,能够有效散热,保持器件在高温环境下的稳定运行。

    综上所述,STF16N65M2凭借其高击穿电压、低导通电阻、快速开关能力和优异的热性能,成为许多高性能电子设备的首选。无论是在开关电源、电机驱动、逆变器、照明系统还是电池管理系统中,STF16N65M2都能提供卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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