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MOS管STF16N60M2参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.32ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF16N60M2是一款高效能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种需要高电压和高电流的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源供应器(PSU):STF16N60M2在开关电源中被广泛使用。它的高耐压和高电流能力使其适合用于AC-DC和DC-DC转换器中,能够有效提高电源转换效率并减少能量损耗。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STF16N60M2由于其低导通电阻和快速开关速度,可以提供稳定和高效的电流控制,适用于工业和家用电机驱动器。

    3. 不间断电源(UPS):不间断电源系统需要在电网断电时迅速切换到备用电源,STF16N60M2的高开关速度和耐高压特性使其成为UPS系统中理想的功率器件。

    4. 照明系统:在高功率LED照明驱动电路中,STF16N60M2由于其高效能和耐用性,可以稳定驱动大功率LED灯具,提高整体照明系统的效率和寿命。

    5. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效的功率转换器件来将直流电转换为交流电,STF16N60M2的高效率和高耐压特性使其非常适合用于这一应用领域。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:STF16N60M2的漏源极耐压(Vds)高达600V,这使其能够在高电压应用中安全运行,如电源供应器和电机驱动。

    - 低导通电阻:STF16N60M2具有低导通电阻(Rds(on)),典型值为0.45Ω,这降低了功率损耗,提高了系统的整体效率。

    - 高脉冲电流能力:STF16N60M2允许高达64A的脉冲电流,这对于处理瞬时高电流需求的应用非常有用,如电机启动和高功率LED驱动。

    - 快速开关速度:STF16N60M2的快速开关速度使其在高频应用中表现优异,减少了开关损耗,有助于提高电源和逆变器的效率。

    - 封装形式:STF16N60M2采用了TO-220封装形式,具有良好的散热性能和机械稳定性,便于在各种电子设备中集成和使用。

    综上所述,STF16N60M2作为一款高效能的N沟道MOSFET,以其优异的性能和广泛的应用场景在市场上受到广泛认可。无论是在电源供应器、电机驱动、不间断电源、照明系统还是太阳能逆变器中,STF16N60M2都能提供可靠和高效的性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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