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MOS管STF15N60M2-EP参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.378ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF15N60M2-EP是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子和电力转换领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STF15N60M2-EP常用于开关模式电源中,负责高效的电能转换和调节。它的低导通电阻和快速开关速度确保了电源的高效率和可靠性。

    2. 电动工具:在电动工具中,STF15N60M2-EP能够提供高电流和高功率的驱动能力,确保工具的稳定运行和长寿命。

    3. 逆变器:STF15N60M2-EP在逆变器中起到关键作用,帮助将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)系统。

    4. 电机驱动:在电机驱动应用中,STF15N60M2-EP能够提供稳定的电流输出和快速的响应时间,适用于各种工业和消费类电机控制系统。

    5. 照明控制:STF15N60M2-EP适用于LED驱动器和其他照明控制系统,提供高效的功率转换和可靠的控制性能。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:STF15N60M2-EP具有600V的耐压能力,适用于高压应用,确保器件在高压环境下的稳定性和安全性。

    - 导通电阻:该器件的典型导通电阻为0.24Ω,低导通电阻有助于降低导通损耗,提高整体效率。

    - 开关速度:STF15N60M2-EP的开关速度非常快,能够在高频应用中提供优异的性能,降低开关损耗,提升系统效率。

    - 热性能:STF15N60M2-EP具备良好的热性能,最大结温高达150℃,并且具有较低的热阻,确保在高功率应用中的可靠性。

    - 封装形式:STF15N60M2-EP采用PowerFLAT?封装,具有出色的热管理能力和机械强度,适合高密度电路设计。

    综上所述,STF15N60M2-EP的这些特点使其成为高效能和高可靠性应用的理想选择,广泛应用于电力电子和控制系统中。通过优化设计和高质量制造工艺,STF15N60M2-EP在各种复杂和严苛的应用环境中都能表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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