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MOS管STF14NM65N参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.38ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF14NM65N是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子和电力设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STF14NM65N常用于高效能转换器,如DC-DC和AC-DC转换器。其高电压耐受性和低导通电阻特性使其能够在高频下工作,同时降低能量损耗。

    2. 电动工具:在电动工具中,这种MOSFET用于电机驱动电路,确保高效能和高功率密度。它能够提供稳定的电流控制,增强工具的性能和寿命。

    3. 电池管理系统(BMS):STF14NM65N在电池管理系统中用于电池保护电路,确保电池的安全充放电。其高开关速度和低导通损耗有助于提高电池效率和寿命。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,该MOSFET用于将直流电转换为交流电。其高效能和高可靠性特点使其成为太阳能系统的理想选择。

    5. 工业控制设备:STF14NM65N在工业控制设备中,用于电机控制和驱动电路。其高电流处理能力和耐高压特性,确保了工业设备的稳定运行和高效能。

    二、参数特点:

    - 高电压耐受性:该MOSFET的漏源击穿电压(Vds)高达650V,能够承受高电压环境,适用于各种高压应用场景。

    - 低导通电阻:STF14NM65N的导通电阻(Rds(on))极低,仅为0.39Ω(典型值),在高电流条件下能有效降低导通损耗,提高系统效率。

    - 快速开关速度:该器件的开关速度快,开关时间为数纳秒级。这使得STF14NM65N在高频应用中表现出色,减少了开关损耗。

    - 高电流处理能力:其最大连续漏极电流(Id)为14A,能够处理大电流应用,确保设备的高性能运行。

    - 低栅极电荷: STF14NM65N的栅极电荷(Qg)低,降低了驱动电路的功耗,提高了系统的整体效率。

    综上所述,STF14NM65N作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,在多种应用场景中表现优异,其高电压耐受性、低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力,使其成为电子和电力设备中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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