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MOS管STF13NM50N参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.32ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF13NM50N是一种高效能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STF13NM50N常用于开关电源和DC-DC转换器中。其低导通电阻和快速开关速度使其能够在高频率操作下高效转换电能,减少能量损耗,提高系统效率。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,STF13NM50N被用作功率开关元件。它能够快速响应控制信号,实现精确的电机速度和位置控制,广泛应用于工业自动化、机器人以及家用电器中。

    3. 光伏逆变器:光伏逆变器需要高效的开关器件来将直流电转换为交流电。STF13NM50N凭借其高击穿电压和低开关损耗,成为光伏逆变器中理想的开关器件,提高了整体系统的能效。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和便携式设备中,STF13NM50N用于电池保护电路和管理系统。它能够精确控制电流和电压,保护电池不受过充电或过放电的影响,延长电池寿命。

    5. 通信设备:在无线通信和数据传输设备中,STF13NM50N被用作射频功率放大器和信号调制解调器的核心组件。其低噪声特性和高线性度确保了信号的高保真度和可靠性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻低:STF13NM50N的典型导通电阻仅为0.35Ω,这意味着它在导通状态下具有极低的电能损耗,适合高效能的电源管理和功率转换应用。

    - 击穿电压高:STF13NM50N具有500V的高击穿电压,能够在高电压环境中稳定工作,适用于工业电源和光伏逆变器等高压应用场景。

    - 开关速度快:STF13NM50N具有极快的开关速度,其上升时间和下降时间分别为20ns和15ns。这使得它在高频率开关电路中表现出色,减少开关损耗,提高效率。

    - 栅极电荷低:STF13NM50N的栅极电荷为48nC,意味着其在开关时需要的驱动能量较低,适合在低功耗系统中应用,延长电池寿命。

    - 热性能好:STF13NM50N采用先进的封装技术,具有良好的热性能。其热阻仅为1.5℃/W,能够有效散热,确保在高功率条件下稳定工作。

    综上所述,STF13NM50N凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为各类电子设备和系统中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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