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MOS管STF13N65M2参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.43ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF13N65M2是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,具有广泛的应用场景和独特的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源系统:STF13N65M2常用于开关电源和DC-DC转换器中,用于控制和调节电流和电压,提高系统的效率和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机控制领域,STF13N65M2可用作驱动器件,用于控制电机的启动、停止和速度调节,适用于工业自动化、汽车电子等领域。

    3. 照明系统:由于其低导通电阻和高频特性,STF13N65M2可用于LED驱动和照明系统中,提供高效的功率转换和调节功能。

    4. 医疗设备:在医疗设备中,STF13N65M2可以用于功率放大器和电源管理电路,确保设备的可靠性和稳定性,满足医疗行业对安全性和性能的严格要求。

    5. 通信设备:在通信领域,STF13N65M2常用于射频功率放大器和天线驱动器中,提供高效的功率放大和信号调节功能,用于无线通信系统和基站设备。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:STF13N65M2具有很低的导通电阻,可实现高效的功率传输和能量转换,减少系统能量损耗。

    2. 高耐压能力:STF13N65M2能够承受较高的电压,保证在各种工作环境下稳定可靠的性能表现。

    3. 高频特性:该器件具有优秀的高频特性,适用于需要快速开关和响应的应用场景,如高频电源和射频系统。

    4. 温度稳定性:STF13N65M2在不同温度下的性能表现稳定,能够适应各种工作环境和温度条件下的需求。

    5. 可靠性:作为一款高性能的MOSFET器件,STF13N65M2具有优异的可靠性和长寿命,可满足工业和商业应用对于稳定性和持久性的要求。

    综上所述,STF13N65M2作为一款性能优异的MOSFET器件,具有广泛的应用前景和独特的参数特点,在电源系统、电机驱动、照明系统、医疗设备和通信设备等领域都有着重要的应用价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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