收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 插件MOS管 » MOS管STF12NM60N参数

MOS管STF12NM60N参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.41ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    STF12NM60N是一种高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STF12NM60N常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC转换器)中,作为开关元件。其高效能和低导通电阻使其在高频开关和高效能量转换中表现出色。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统(BMS)和电机控制中,STF12NM60N被用作关键的开关元件,确保高效的电能传输和低热损耗。

    3. 太阳能逆变器:STF12NM60N在太阳能光伏系统的逆变器中发挥重要作用。其高电压和电流处理能力使其能够有效地将直流电转换为交流电,并提升整体系统效率。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,STF12NM60N用于电机驱动和控制电路,提供稳定的开关性能和长寿命。

    5. 消费电子:例如,在电视、计算机和其他家用电器中,STF12NM60N被用作电源控制和管理元件,提高设备的能效和可靠性。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STF12NM60N的击穿电压为600V,这使其适用于高电压应用场景,能够处理更高的输入电压而不容易损坏。

    - 低导通电阻:STF12NM60N的典型导通电阻(RDS(on))为0.7Ω,这保证了在导通状态下的低功耗和高效能量传输,减少了电能损耗和热量产生。

    - 高电流处理能力:STF12NM60N的最大连续漏极电流为12A,使其能够处理较高的电流负载,适用于需要高电流的应用,如电机驱动和大功率开关电源。

    - 快速开关速度:STF12NM60N具有较快的开关速度,这对于高频开关电源和高效DC-DC转换器非常重要。快速开关速度有助于提高系统的整体效率和性能。

    - 低栅极电荷:STF12NM60N的低栅极电荷(Qg)使其在开关过程中需要的驱动功率更低,从而减少了驱动电路的复杂性和功耗。

    综上所述,STF12NM60N凭借其高击穿电压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷等优点,成为各类电源管理、工业自动化、消费电子以及电动汽车等应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号