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MOS管STF12NM50N参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.38ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF12NM50N是一种高效的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STF12NM50N常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中。其高效的开关特性和低导通电阻使其在高频操作中能够有效降低能量损耗,从而提高整体效率。

    2. 电动机控制:在电动机驱动和控制电路中,STF12NM50N的高电流处理能力和快速开关速度使其非常适合用于控制直流电动机和步进电动机。

    3. 照明系统:STF12NM50N也常用于LED照明驱动电路中。其高效率和高可靠性确保了LED照明系统的稳定和高效运行。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器中,STF12NM50N被用作输出级功率管,提供大功率、高效率的音频信号放大。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STF12NM50N被用作逆变器电路的开关元件,帮助将直流电转换为交流电,供给家用电器使用。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STF12NM50N具有非常低的导通电阻,仅为0.52Ω(最大值),这意味着在导通状态下,电流通过器件时产生的压降和功耗非常低,有助于提高整个电路的效率。

    - 击穿电压(VDSS):该型号的击穿电压为500V,这使得它能够在高电压环境下可靠工作,适用于各种高压应用场景。

    - 漏极电流(ID):STF12NM50N的最大连续漏极电流为12A,这使其能够处理较大电流,适用于需要高电流处理能力的应用。

    - 栅极电荷(Qg):其典型栅极电荷为45nC,这表明STF12NM50N能够快速开关,适合高频应用。

    - 封装形式:STF12NM50N采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合安装在散热器上以增强散热效果。

    综上所述,STF12NM50N以其低导通电阻、高击穿电压、大电流处理能力和快速开关特性,成为各种高效电力电子设备和系统中的理想选择。无论是在电源管理、电动机控制、照明系统、音频放大器还是太阳能逆变器中,STF12NM50N都能够发挥其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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