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MOS管STF11NM80参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF11NM80是一款高压N沟道MOSFET,广泛应用于电源管理和转换器领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STF11NM80作为主要的开关器件,能够实现高效的电能转换,减少能量损耗。其高耐压特性使其适用于各种类型的开关电源,如AC-DC和DC-DC转换器。

    2. 电动汽车充电桩:STF11NM80在电动汽车充电桩中用于控制充电电流和电压,确保充电过程的安全和高效。其高效能和稳定性使其在充电桩中表现出色。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STF11NM80用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电。其高效率和可靠性对于提高太阳能系统的整体性能至关重要。

    4. 工业电机驱动:在工业自动化和控制系统中,STF11NM80被用来驱动各种类型的电机,提供稳定和高效的电力供应。

    5. 照明系统:STF11NM80在LED驱动电路中,作为开关元件,确保LED灯具的稳定工作和高效节能。

    二、参数特点:

    - 额定电压:STF11NM80的漏源极电压(Vds)高达800V,适用于高压应用场景,能够承受较大的电压波动和浪涌电压。

    - 额定电流:其最大漏极电流(Id)为11A,能够处理较大的负载电流,适用于高功率的应用场合。

    - 导通电阻:STF11NM80的导通电阻(Rds(on))较低,仅为0.85Ω,确保在导通状态下具有较低的功耗和高效率。

    - 开关速度:具有较快的开关速度,能够在高频开关电路中高效工作,减少开关损耗,提高系统效率。

    - 热性能:STF11NM80具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,具备较高的热可靠性,适合严苛的工业和商业应用环境。

    综上所述,STF11NM80凭借其出色的电气性能和可靠性,成为了众多高压和高功率应用中的理想选择。其应用广泛,覆盖了从消费电子到工业控制,再到新能源领域的多个方面。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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