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MOS管STF11NM65N参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.455ΩVRDS(ON)ld通态电流:55AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF11NM65N是一种高效的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STF11NM65N常用于功率变换部分,其低导通电阻和高击穿电压特性可以提高电源的转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机控制:在电机驱动控制中,STF11NM65N能够提供高效的电流控制,确保电机的平稳运行,尤其适用于直流电机和无刷电机的控制系统。

    3. 光伏逆变器:STF11NM65N在光伏逆变器中作为逆变开关器件,能够承受较高的电压和电流,提高逆变器的转换效率,增强系统的稳定性和可靠性。

    4. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,STF11NM65N因其高耐压和低导通电阻特性,能够实现高效、安全的充电过程,提高充电桩的整体性能。

    5. 家电控制电路:如空调、冰箱等家电控制系统中,STF11NM65N用于功率管理和电源控制部分,确保家电的高效、稳定运行。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STF11NM65N具有650V的高击穿电压,适用于高电压、大电流的应用场景,能够有效防止因电压过高导致的器件损坏。

    - 低导通电阻:STF11NM65N的典型导通电阻为0.45Ω,这使得其在导通状态下的损耗非常低,提高了整体电路的效率。

    - 快速开关速度:STF11NM65N的开关速度非常快,能够实现快速的电流切换,适用于高频开关电路,提高系统的响应速度和效率。

    - 高脉冲电流能力:STF11NM65N具备高达44A的脉冲电流能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击,适应复杂的工作环境。

    - 热性能优异:STF11NM65N的结温范围为-55°C至150°C,具有良好的热稳定性和散热能力,确保在高温环境下仍能稳定工作。

    综上所述,STF11NM65N凭借其高击穿电压、低导通电阻、快速开关速度、高脉冲电流能力和优异的热性能,成为多个高要求应用场景中的理想选择。无论是在开关电源、电机控制、光伏逆变器,还是在电动汽车充电桩和家电控制电路中,STF11NM65N都能展现出其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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