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MOS管STF11NM60ND参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.45ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF11NM60ND 是一种高效的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STF11NM60ND由于其低导通电阻和高开关速度,被用于高频变换器,以提高效率并减少能量损失。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,STF11NM60ND用作H桥电路的开关元件,确保电机能够平稳启动和停止,并提供高效的能量转换。

    3. 照明系统:在LED驱动电路中,STF11NM60ND用于调节电流,确保LED灯具在各种工作条件下都能保持稳定的亮度和高效的性能。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,STF11NM60ND用于将直流电转换为交流电,其高效率和高可靠性使其成为太阳能逆变器中的理想选择。

    5. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,STF11NM60ND用于充放电控制,确保电池的安全和寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STF11NM60ND的导通电阻仅为0.39Ω,低导通电阻意味着更低的功率损耗和更高的效率,特别适用于高效能的电源管理系统。

    - 高耐压(VDS):STF11NM60ND具有600V的耐压能力,能够承受高电压的工作环境,适合用于高压电源和变频器等应用。

    - 高开关速度:STF11NM60ND的开关速度非常快,其典型的开关时间(ton和toff)分别为17ns和37ns,适合高频开关电路,能够有效提高电路的转换效率。

    - 低栅极电荷(Qg):STF11NM60ND的栅极电荷为34nC,低栅极电荷减少了驱动电路的功耗,并提高了开关性能,适用于高频操作。

    - 强大的热性能:STF11NM60ND具有良好的热性能,其热阻为62.5℃/W,确保在高功率应用中能够有效散热,延长器件的使用寿命。

    综上所述,STF11NM60ND在高效能和高可靠性要求的应用中表现突出,成为众多电子设备和电力系统设计师的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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