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MOS管STF11NM50N参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:8.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.47ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF11NM50N是一款常用于功率转换和开关电源管理的N沟道功率MOSFET。这款器件在高效能和高可靠性要求的应用中表现出色。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STF11NM50N在开关模式电源中被广泛应用于功率转换电路。其高击穿电压和低导通电阻使其能够有效地处理高电压和大电流的转换,提升系统效率。

    2. 不间断电源(UPS):STF11NM50N适用于UPS系统中的逆变器和整流器部分。其快速开关特性和低损耗确保在电源转换过程中保持高效运行。

    3. 电动工具:由于电动工具需要高效能和稳定性的电源管理,STF11NM50N的高可靠性和高效能使其成为这类设备中的理想选择,尤其在电机驱动和电源控制电路中发挥重要作用。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,STF11NM50N用于直流到交流电的转换过程。其高效的功率处理能力和高耐压特性确保了逆变器在转换过程中具有高效能和稳定性。

    5. 汽车电子:STF11NM50N也被广泛应用于汽车电子系统中,如电动汽车的电源管理系统和其他高功率需求的控制单元中。其高耐压和高效能使其能够应对汽车电子系统的苛刻要求。

    二、参数特点:

    - 击穿电压:STF11NM50N具有500V的击穿电压,能够处理高电压应用,确保在高电压环境下的可靠性和稳定性。

    - 导通电阻:其典型的导通电阻(RDS(on))仅为0.55Ω,这使得STF11NM50N在高电流通过时能够保持较低的功率损耗,提升整体效率。

    - 漏极电流:STF11NM50N的连续漏极电流(ID)为11A,脉冲漏极电流(IDM)为44A,适合处理大电流应用,满足高功率需求。

    - 开关特性:这款MOSFET的开关时间非常快,具有低的栅极电荷(Qg),这使得STF11NM50N能够在高频开关应用中高效运行,减少开关损耗。

    - 热特性:STF11NM50N具有良好的热性能,结温范围为-55°C至150°C,确保其在各种苛刻环境下的稳定运行。其热阻(RthJC)较低,帮助有效散热,进一步提高器件可靠性。

    综上所述,STF11NM50N在各种应用场景中的优势及其优越的参数特性,使其成为功率转换和高效能管理中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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