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MOS管STF11N65K3参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STF11N65K3是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STF11N65K3在开关电源、直流-直流转换器和不间断电源(UPS)等领域,其卓越的性能表现得尤为突出。其高效能和高可靠性使得它在电动汽车的充电系统、太阳能逆变器和电机驱动器中也得到了广泛应用。

    2. 工业自动化设备:在工业自动化设备和智能电网系统中,STF11N65K3凭借其优异的开关特性和低导通电阻,显著提升了系统的效率和稳定性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STF11N65K3的RDS(on)非常低,通常在满载时仅为0.4欧姆。这使其在开关过程中产生的能量损耗大大减少,从而提高了系统的整体效率。

    - 高击穿电压:该型号的最大击穿电压达到650V,适用于高压应用场景。这一特性使其在高压直流电源和交流电源转换器中表现出色。

    - 快速开关速度:STF11N65K3具备极快的开关速度,这一特点使其在需要快速响应的应用中,如高频开关电源和射频放大器中,能够有效减少开关损耗和热量积累。

    - 强大的热管理能力:该器件具有优良的热管理性能,能够在高功率密度的条件下保持稳定的工作状态。这使得STF11N65K3在电力转换和电机控制系统中具备更高的可靠性和寿命。

    - 高效率:由于其低导通电阻和快速开关特性,STF11N65K3能够显著提升系统的能量转换效率,减少不必要的功率损耗。

    综上所述,STF11N65K3是一款性能优越、应用广泛的功率MOSFET,其低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度和优异的热管理能力,使其在现代电力电子设备中成为不可或缺的核心元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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