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MOS管STF10NM65N参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF10NM65N是一种广泛应用于各类电子设备中的高性能功率MOSFET,其在工业、汽车电子、电源管理和消费电子等领域表现出色。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STF10NM65N常被用作主要开关元件。其高效的开关速度和低导通电阻使其能够在高频下高效工作,从而提高整个电源系统的效率。

    2. 照明设备:STF10NM65N在LED照明和节能灯中有着广泛应用。其良好的热性能和高可靠性,使其能在长时间的高温环境中稳定工作,延长了灯具的使用寿命。

    3. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统中,STF10NM65N用作关键的功率控制元件。其高电流处理能力和耐高压特性,确保了电池充放电过程中的安全性和效率。

    4. 工业控制:STF10NM65N在工业自动化设备中,用于控制电机和执行器。其耐高压和高开关频率,使其能够在各种恶劣环境下稳定运行,提高了设备的可靠性。

    5. 消费电子:在各种消费电子产品如电脑、电视、音响中,STF10NM65N用于电源管理和保护电路。其紧凑的封装和优异的性能,为设计紧凑、高效的电子产品提供了可能。

    二、参数特点:

    - 高耐压:STF10NM65N的漏源极耐压高达650V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高耐压能力的应用场景。

    - 低导通电阻:该器件的典型导通电阻仅为0.47Ω,低导通电阻确保了在大电流通过时的低功耗,提高了整体系统的效率。

    - 高开关速度:STF10NM65N具有快速的开关性能,开关时间短,有助于在高频应用中减少开关损耗,从而提高系统的效率。

    - 强大电流处理能力:该器件最大可处理的连续漏极电流为10A,能够满足高电流应用的需求,确保设备在大功率条件下的可靠运行。

    - 优异的热性能:STF10NM65N采用先进的封装技术,具有较低的热阻,确保了在高功率应用中良好的散热性能,延长了器件的使用寿命。

    综上所述,STF10NM65N凭借其高耐压、低导通电阻、高开关速度、强大电流处理能力以及优异的热性能,成为了各类电子设备中的理想选择。其在开关电源、照明设备、电动汽车、工业控制和消费电子等多个领域展现了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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