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MOS管STF10NM50N参数

PD最大耗散功率:28WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.63ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF10NM50N是一款常用于电源管理和开关电源设计中的N沟道功率MOSFET。其应用场景主要包括:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STF10NM50N常被用作主功率开关器件。其高效能的导通和关断特性使其能够在高频工作条件下实现高效能的电能转换。

    2. 直流-直流转换器:在DC-DC转换器电路中,STF10NM50N通过调节输出电压,为负载提供稳定的电源。这在移动设备、便携式电子设备等需要高效电能管理的应用中尤为重要。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STF10NM50N用于切换和控制电能流动,确保在市电断电时能够迅速切换到备用电源,提供持续电力供应。

    4. 电机控制:在电动机驱动和控制电路中,STF10NM50N用于控制电机的速度和方向,提供高效能的电能转换和驱动能力。

    5. 逆变器:在逆变器应用中,STF10NM50N通过高频开关操作,将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能发电系统和其他可再生能源系统中。

    二、参数特点:

    - 击穿电压:STF10NM50N的击穿电压为500V,使其能够在高压应用中提供可靠的性能。这种高击穿电压特性使其适用于各种需要高耐压的电路设计。

    - 导通电阻:其典型导通电阻仅为0.75Ω,在低导通电阻下能够减少功率损耗,提高电路的整体效率。这使得STF10NM50N在高效能转换应用中表现优异。

    - 电流能力:STF10NM50N的最大连续漏极电流为10A,能够处理较大电流需求的负载。这在高功率应用中提供了良好的电流处理能力。

    - 快速开关速度:该器件具备快速的开关速度,能够在高频应用中提供快速的响应和高效的开关性能。这对开关电源和DC-DC转换器等高频应用至关重要。

    - 热性能:STF10NM50N具有良好的热性能,其结到环境的热阻较低,能够有效散热,保持器件在高功率条件下的稳定运行。

    综上所述,STF10NM50N凭借其高击穿电压、低导通电阻、优异的电流处理能力和快速开关速度,成为电源管理和高效能转换应用中的理想选择。这使得STF10NM50N在各类电子设备中得以广泛应用,并提供可靠的电能管理解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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