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MOS管STF10N60M2参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:7.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF10N60M2是一种高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STF10N60M2在开关电源中非常常见,尤其是在高效率、高频率的DC-DC转换器中。它的低导通电阻和快速开关速度使其成为这些应用的理想选择。

    2. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,STF10N60M2可以有效地管理高电压和高电流的切换,确保充电过程的安全和效率。

    3. 逆变器和变频器:在逆变器和变频器中,STF10N60M2通过其出色的电流处理能力和散热性能,能够提高系统的整体效率和可靠性。

    4. 太阳能光伏系统:在太阳能光伏系统中,STF10N60M2用于最大功率点追踪(MPPT)和逆变器部分,帮助提高能量转换效率。

    5. UPS不间断电源:在UPS系统中,STF10N60M2能够处理紧急情况下的大电流切换,确保设备在断电时仍能正常运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STF10N60M2的典型导通电阻为0.75Ω,这在高电流应用中可以显著降低导通损耗,提高效率。

    - 高耐压能力:STF10N60M2具有600V的漏源耐压,适用于高压应用,确保器件在高电压环境下的稳定运行。

    - 快速开关速度:STF10N60M2具有较快的开关速度,典型值为25ns,有助于提高系统的开关频率,减少开关损耗。

    - 出色的热性能:STF10N60M2的热阻(结到壳)为1.8℃/W,有助于更好地管理和散热,使其在高功率应用中表现稳定。

    - 高脉冲电流能力:STF10N60M2能够承受高达40A的脉冲电流,适用于需要处理瞬时大电流的应用,如电机驱动和感性负载切换。

    综上所述,STF10N60M2以其低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度、出色的热性能和高脉冲电流能力,成为许多电力电子应用中的首选器件。其广泛的应用场景和优越的参数特点,使得STF10N60M2在提高系统效率和可靠性方面发挥着关键作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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