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MOS管STF100N6F7参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:45AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.008ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF100N6F7是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STF100N6F7在电源管理系统中具有极高的可靠性和效率,能够在高电流情况下稳定运行,适用于DC-DC转换器和AC-DC电源适配器等应用。

    2. 电动汽车:在电动汽车的驱动电路中,STF100N6F7被广泛应用于电机控制和电池管理系统中。它的低导通电阻和高开关速度能够显著提高系统的整体效率和性能。

    3. 太阳能逆变器:STF100N6F7还被应用于太阳能逆变器中,其高耐压和高电流能力使其在处理大功率转换时表现出色,能够有效地转换太阳能为可用电能。

    4. 工业控制系统:在工业控制系统中,STF100N6F7常被用作开关元件,控制大功率负载的通断,其优良的热性能和耐久性能够满足工业环境中的高标准需求。

    5. 消费电子产品:在如智能手机、笔记本电脑等消费电子产品中,STF100N6F7可用于充电电路和电池保护电路,其紧凑的封装和高效的性能能够为设备提供可靠的电源管理。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STF100N6F7的导通电阻非常低(典型值为4.5 mΩ),这使得其在导通状态下的能量损耗极低,从而提高了系统的效率。

    - 高电流能力:STF100N6F7能够承受高达100A的连续漏极电流,这使其在需要处理大电流的应用中表现突出。

    - 高耐压能力:STF100N6F7的漏源耐压为60V,能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种需要高耐压的应用场合。

    - 快速开关速度:STF100N6F7具备快速的开关速度,这不仅降低了开关损耗,还提高了系统的响应速度,非常适合高频开关电源和逆变器等应用。

    - 优良的热性能:STF100N6F7的热阻非常低,具备良好的散热性能,这意味着它能够在高功率条件下长时间稳定运行,不易因过热而损坏。

    综上所述,STF100N6F7以其低导通电阻、高电流能力、高耐压、快速开关速度和优良的热性能,在电源管理、电动汽车、太阳能逆变器、工业控制和消费电子产品等领域得到了广泛应用,是一种非常可靠且高效的功率MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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