PD最大耗散功率:330WID最大漏源电流:44AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.07ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理系统:在开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)中,STF100N10F7用于高效电能转换和管理。这种MOSFET能够在高频率下工作,减少开关损耗,从而提高整体效率。
2. 电动汽车:在电动汽车的电机控制系统中,STF100N10F7用于驱动电机控制模块。它能够处理高电流和高电压,确保电机运行稳定且高效。
3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,STF100N10F7用于太阳能逆变器,实现直流电到交流电的高效转换。其低导通电阻和快速开关特性,能够最大化太阳能的利用效率。
4. 工业自动化设备:在工业自动化控制系统中,STF100N10F7用于控制大功率电机和其他负载。它的高可靠性和高耐压性能,确保了系统的长期稳定运行。
5. 消费电子产品:在智能手机、笔记本电脑等消费电子产品中,STF100N10F7用于电池管理和电源控制模块。它的低功耗特性,能够延长设备的电池使用寿命。
二、参数特点:
- 导通电阻(RDS(on)):STF100N10F7的导通电阻非常低,仅为5.5mΩ(在10V栅极驱动电压下)。这意味着在开通状态下,器件的功率损耗极低,适合高效能应用。
- 额定电流和电压:STF100N10F7的最大连续漏极电流为100A,最大漏源电压为100V。这使得它可以在高电流、高电压的环境中稳定运行。
- 开关速度:STF100N10F7具有快速开关特性,开关时间仅为几十纳秒。这有助于减少开关损耗,提高系统效率,尤其在高频率开关应用中表现突出。
- 热阻:该MOSFET的热阻非常低,仅为0.85℃/W,这意味着在高功率应用中,STF100N10F7能够有效散热,避免因过热导致的性能下降。
- 封装形式:STF100N10F7采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性,便于在各种应用中安装和使用。
综上所述,STF100N10F7凭借其高效能、高可靠性和低损耗的特点,成为电源管理、汽车电子、工业控制等领域的理想选择。通过合理应用这种MOSFET,可以显著提高系统的整体性能和可靠性。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
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