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场效应MOS管STY80NM60N参数

PD最大耗散功率:560WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.04ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STY80NM60N是一款高性能的N沟道功率MOSFET,它在现代电子和电气设备中有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STY80NM60N常用于开关电源和DC-DC转换器中。它的高效能和低导通电阻使其成为电源管理系统中理想的选择,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。

    2. 工业自动化设备:在工业自动化领域,STY80NM60N用于驱动电机和控制系统。其高耐压和大电流承载能力使其能够在高负载和高要求的工业环境中稳定工作,确保设备的可靠性和长寿命。

    3. 电动汽车和混合动力汽车:STY80NM60N在电动汽车的电池管理系统和电动驱动系统中发挥重要作用。它的高开关速度和低损耗特性有助于提高电动汽车的能效和续航能力。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STY80NM60N用于逆变器的电力转换部分。其高效率和可靠性能够优化太阳能发电系统的性能,确保稳定的电力输出。

    5. 消费电子产品:在各种消费电子设备如电视、电脑和智能家电中,STY80NM60N用于电源控制和管理。其小体积和高性能使其能够满足现代电子产品对高效能和小型化的需求。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:STY80NM60N具有600V的耐压能力,这使得它能够在高电压环境下安全运行,适用于多种高压应用场景。

    - 低导通电阻:该器件的典型导通电阻为0.022欧姆,低导通电阻能够减少导通损耗,提高系统效率,降低工作温度。

    - 大电流能力:STY80NM60N能够承载高达80A的连续漏极电流,适合高功率应用,确保在大电流条件下的稳定性和可靠性。

    - 快速开关性能:其开关时间非常短,有助于提高系统的开关效率,降低开关损耗,使其在高速开关应用中表现优异。

    - 增强型沟道设计:STY80NM60N采用先进的沟道设计,进一步降低了器件的导通电阻和开关损耗,同时提高了耐用性和可靠性。

    通过以上详细的介绍,我们可以看出,STY80NM60N在各种应用场景中都表现出色,其卓越的参数特点使其在高效能和高可靠性要求的应用中具有明显的优势。这些特性使得STY80NM60N成为电源管理、工业自动化、电动汽车、太阳能逆变器和消费电子产品等领域中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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