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场效应MOS管STY60NM60参数

PD最大耗散功率:560WID最大漏源电流:60AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.055ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STY60NM60是一个广泛应用于电力电子领域的N沟道功率MOSFET(场效应晶体管)。它具有多种优越的电气特性,使其在许多不同的应用场景中得以广泛采用。以下将分别详细介绍STY60NM60的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STY60NM60常用于开关电源中作为主开关器件。由于其低导通电阻和高开关速度,这种MOSFET可以提高电源的转换效率,降低能量损耗,从而提高电源的整体性能和可靠性。

    2. 电机驱动器:在电机驱动应用中,STY60NM60能够承受高电流和高电压的操作环境,确保驱动电机时具有高效的能量转换效率。此外,它还具有良好的热管理特性,能够在高功率应用中保持稳定运行。

    3. 不间断电源(UPS)系统:STY60NM60在UPS系统中用于逆变器和整流器部分,能够快速响应电源的变化,提供稳定的电源输出。这对于关键设备的持续运行至关重要。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,STY60NM60用于将直流电转换为交流电。其高效的开关特性和耐高压能力,使其在提高能源转换效率方面表现出色。

    5. 电动汽车:STY60NM60被广泛应用于电动汽车的电池管理系统和动力传动系统中。其高电流处理能力和快速开关性能,有助于提高电动汽车的续航里程和性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STY60NM60的导通电阻非常低,通常在几毫欧姆范围内。这意味着在相同电流下,导通损耗较低,有助于提高整体系统的效率。

    - 高击穿电压(V(BR)DSS):STY60NM60具有高达600伏的击穿电压,这使其能够在高电压环境中可靠工作,适用于需要高压操作的应用。

    - 高电流处理能力(ID):STY60NM60的最大连续漏极电流可达60安培,适合高电流需求的应用,如电机驱动和电动汽车。

    - 快速开关速度:STY60NM60具有较快的开关速度,这对于开关电源和逆变器应用尤为重要。快速的开关特性有助于减少开关损耗,提高系统效率。

    - 良好的热管理性能:STY60NM60采用先进的封装技术,具有优越的热管理性能。这使得它在高功率应用中能够有效散热,保持稳定的工作温度,延长器件的使用寿命。

    综上所述,STY60NM60凭借其低导通电阻、高击穿电压、高电流处理能力、快速开关速度和良好的热管理性能,成为电力电子领域的重要器件。在开关电源、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器和电动汽车等多个应用场景中,STY60NM60展现出卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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