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场效应MOS管STY34NB50F参数

PD最大耗散功率:450WID最大漏源电流:34AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:17AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STY34NB50F是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电力电子和高频开关电源领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STY34NB50F在开关电源中起到关键作用,特别是在高效能和高频应用中。其低导通电阻和快速切换能力使其非常适合用于DC-DC转换器、AC-DC转换器和隔离式电源等。

    2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV):在电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统和电机驱动系统中,STY34NB50F因其高电流处理能力和耐高压特性而被广泛采用。这确保了车辆电气系统的高效能和可靠性。

    3. 太阳能逆变器:随着太阳能发电的普及,STY34NB50F在太阳能逆变器中的应用也日益增加。其高效率和高开关频率性能,能够提高逆变器的能量转换效率,从而优化整个太阳能系统的性能。

    4. 工业自动化:在工业自动化领域,STY34NB50F用于控制电机、伺服驱动和其他高功率设备。其高可靠性和耐用性确保了工业系统的稳定运行。

    5. 消费电子产品:如智能手机、笔记本电脑和便携式充电器中,STY34NB50F因其低功耗和高效能,被用于电源管理和快速充电电路中。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STY34NB50F具有极低的导通电阻,这意味着在同样的电流下,功耗较低,效率更高。具体来说,其RDS(on)值在VGS=10V时为34mΩ。

    - 最大漏源电压(VDSS):其最大漏源电压为500V,适用于高压应用场景,能够承受较大的电压波动,确保电路的安全和稳定。

    - 连续漏电流(ID):STY34NB50F能够承受高达34A的连续漏电流,这使其在高电流需求的应用中表现尤为出色。

    - 开关速度:其具备极快的开关速度,有助于提高整个系统的转换效率和响应速度,适用于高频开关电路。

    - 结温(TJ):其最大结温高达175°C,表明STY34NB50F能够在较高温度下稳定工作,这对于高功率和高温环境下的应用尤为重要。

    综上所述,STY34NB50F凭借其优异的导通电阻、耐高压、高电流承受能力以及快速开关性能,成为了电力电子领域中不可或缺的元器件。其广泛应用于开关电源、电动汽车、太阳能逆变器、工业自动化和消费电子等多个领域,展现出卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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