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场效应MOS管STY34NB50参数

PD最大耗散功率:450WID最大漏源电流:34AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.13ΩVRDS(ON)ld通态电流:17AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STY34NB50是一种高效的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。以下是关于其应用场景和参数特点的详细描述。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STY34NB50常用于开关电源(SMPS)和电压调节器中。其高效能和低导通电阻使其能够在高频操作下有效管理电能,减少功耗和热量产生,提升整体系统的能效。

    2. 电机驱动:在工业自动化和家用电器中,STY34NB50被用作电机驱动器。其高电流处理能力和快速开关速度,能够确保电机的平稳运行和精确控制,提高设备的性能和可靠性。

    3. 汽车电子:汽车电子系统要求元件具备高可靠性和耐用性。STY34NB50在电子控制单元(ECU)、电池管理系统(BMS)等应用中,提供了稳定的电流控制和保护功能,确保车辆电子系统的安全运行。

    4. 太阳能逆变器:STY34NB50在太阳能逆变器中用于直流到交流电的转换,其高效能和耐高压特性,使其能够在各种气候条件下稳定工作,提升太阳能系统的发电效率。

    5. UPS系统:在不间断电源(UPS)系统中,STY34NB50起到关键的功率转换作用。其高开关频率和低损耗特性,确保UPS在电力中断时能够迅速切换并持续提供稳定电力。

    二、参数特点:

    - 高电流处理能力:STY34NB50具备高达34安培的连续漏极电流能力,适合大电流应用,如电机驱动和电源管理,能够有效承受高负载操作。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻仅为50毫欧(mΩ),这意味着在相同电流下,STY34NB50的能量损耗更低,提升了整个系统的效率,尤其在高频开关应用中显得尤为重要。

    - 高耐压能力:STY34NB50的耐压能力高达500伏特(V),使其在高电压环境下依然能够稳定运行,避免因电压波动导致的损坏,适合于工业和电力系统应用。

    - 快速开关速度:其快速的开关速度(上升和下降时间在几十纳秒级别),使STY34NB50能够在高频操作中保持稳定和高效,减少开关损耗,提升系统的动态响应性能。

    - 耐高温性能:STY34NB50具备优良的热性能,能够在高温环境下持续稳定工作,配合良好的散热设计,能够进一步延长其使用寿命和可靠性。

    综上所述,STY34NB50的多样化应用和卓越的参数特点,使其成为电子和电力系统中不可或缺的关键元件,满足了不同场景下的高效能需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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