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场效应MOS管STY25NA60参数

PD最大耗散功率:300WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.24ΩVRDS(ON)ld通态电流:12.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STY25NA60是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STY25NA60由于其高开关速度和低导通电阻,能够有效提高电源转换效率,减少功率损耗。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动系统中,STY25NA60常用于逆变器电路,以实现电机的高效驱动和速度控制。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STY25NA60可以用于逆变器部分,确保在电源中断时持续供电,保证设备正常运行。

    4. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电设备中,STY25NA60由于其高效率和高耐压特性,能够提高充电速度和系统的安全性。

    5. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,STY25NA60常用于光伏逆变器中,将直流电转换为交流电,提升系统整体效率。

    二、参数特点:

    - 高耐压:STY25NA60的最大漏源电压(Vds)高达600V,使其适用于高压应用场景,能够承受较大的电压冲击。

    - 低导通电阻:该器件的典型导通电阻(Rds(on))为0.18Ω,低导通电阻意味着在大电流通过时,功耗较低,发热量减少,从而提高整体系统的效率。

    - 高脉冲电流能力:STY25NA60的最大脉冲漏极电流(Idm)可以达到100A,使其能够处理瞬时大电流冲击,适用于高动态负载的应用场景。

    - 快速开关速度:该器件具有快速的开关特性,开关时间短,能够提高系统的工作频率,减少开关损耗,提升效率。

    - 可靠性高:STY25NA60采用了先进的制造工艺和材料,具有高耐热性和长寿命,能够在恶劣环境下稳定工作,保证系统的可靠性和安全性。

    综上所述,STY25NA60由于其优越的电气性能和广泛的应用场景,成为电力电子设备中不可或缺的关键器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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