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场效应MOS管STY140NS10参数

PD最大耗散功率:450WID最大漏源电流:140AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.011ΩVRDS(ON)ld通态电流:70AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STY140NS10是一款性能优越的N沟道MOSFET,它在许多电子和电力工程领域中都广泛应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STY140NS10常用于开关电源中,尤其是高效DC-DC转换器。其低导通电阻和高频特性使其成为高效率和低热量损失的理想选择。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,STY140NS10的高电流承载能力和快速开关速度能够提供精确的电机控制和高效的能量转换。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,STY140NS10能够处理高电压和高电流,有助于提高整体系统效率,减少能量损失。

    4. 电池管理系统:STY140NS10在电池管理系统中被广泛使用,其高可靠性和低漏电流特性能够延长电池寿命并确保系统的安全性。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,STY140NS10因其高效的开关能力和耐用性而被用于各种控制和驱动电路中。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(V_DS):STY140NS10的最大漏源电压为100V,这使其能够在高压环境下稳定工作。

    - 导通电阻(R_DS(on):STY140NS10的典型导通电阻为0.014Ω,这意味着在导通状态下,它能有效减少能量损失和发热量。

    - 最大漏极电流(I_D):STY140NS10的最大漏极电流为140A,这使其能够处理大电流负载,非常适合高功率应用。

    - 栅极阈值电压(V_GS(th):STY140NS10的栅极阈值电压范围为2V至4V,这使得它在低电压驱动下也能可靠开关。

    - 输入电容(C_iss):STY140NS10的输入电容为6000pF,虽然较高,但其设计优化能够在高频操作中仍保持良好的开关性能。

    - 工作温度范围:STY140NS10的工作温度范围为-55°C至175°C,这表明它可以在极端温度条件下稳定运行,适用于苛刻的工业环境。

    通过上述应用场景和参数特点的详细分析,可以看出STY140NS10在高效能和高可靠性要求的应用中具有显著优势。这使得STY140NS10成为许多工程师和设计师在设计高性能电源和控制系统时的首选组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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