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场效应MOS管STW8N80参数

PD最大耗散功率:180WID最大漏源电流:8.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW8N80是一种高压功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),其应用场景主要集中在以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STW8N80广泛应用于开关模式电源中。它在高效率和高频率的转换中表现出色,能够有效地降低功率损耗,提高系统的效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车中,STW8N80用于电机控制器和电池管理系统。其高电压耐受性和低导通电阻使其在高功率传输和控制中具有优异表现。

    3. 太阳能逆变器:STW8N80在太阳能逆变器中被广泛使用,能够高效地将直流电转换为交流电,满足家庭和工业用电的需求。

    4. 电机驱动:在工业自动化领域,STW8N80常用于电机驱动器中,支持高精度和高效率的电机控制,广泛应用于机器人和数控机床等设备。

    5. 照明系统:STW8N80也应用于高效照明系统,如LED驱动器中,确保高能效和稳定的电流输出,提升照明设备的使用寿命和性能。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):STW8N80的最大漏源电压高达800V,使其能够在高电压应用中可靠工作,满足各种高压电源转换需求。

    - 导通电阻(Rds(on):STW8N80的导通电阻低至1.0欧姆(最大值),这意味着在导通状态下,其功率损耗非常低,提升了整体系统的效率。

    - 最大漏极电流(Id):在25°C环境温度下,STW8N80的最大漏极电流为8A,这使其能够在高电流应用中提供稳定可靠的性能。

    - 栅极电荷(Qg):STW8N80的栅极电荷约为63nC(典型值),这表明其开关速度快,适用于高频率开关电路,有效降低开关损耗。

    - 工作温度范围:STW8N80的工作温度范围为-55°C至150°C,宽广的温度范围使其在各种极端环境下均能正常工作,确保设备的可靠性和耐用性。

    综上所述,STW8N80凭借其优异的高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于各种高效电源转换、电机控制和照明系统中,是一款性能卓越的高压功率MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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