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场效应MOS管STW7NK90Z参数

PD最大耗散功率:1400WID最大漏源电流:5.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW7NK90Z是一种N沟道MOSFET,广泛应用于多种电子设备和电路中。本文将详细介绍STW7NK90Z的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STW7NK90Z在电源管理系统中具有重要作用,特别是开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。其高效的开关速度和低导通电阻使其能够在高频率下工作,提高系统的效率和性能。

    2. 汽车电子:在汽车电子系统中,STW7NK90Z被用于各种控制模块和驱动电路。由于其耐高温和高电压的特性,它能够在严苛的汽车环境中可靠地运行,例如在发动机控制单元(ECU)和电动助力转向(EPS)系统中。

    3. 工业控制:在工业控制应用中,STW7NK90Z常用于电机驱动和工业自动化设备中。其高功率处理能力和耐用性使其适用于需要高可靠性的工业环境,如机器人控制和工厂自动化设备。

    4. 消费电子:STW7NK90Z在消费电子设备中的应用也非常广泛,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池管理系统。其小体积和高效率有助于延长电池寿命和减少发热。

    5. 可再生能源系统:在太阳能和风能等可再生能源系统中,STW7NK90Z用于逆变器和功率调节电路。其高效的能量转换和低损耗特性有助于提高整个系统的能量利用率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on)):STW7NK90Z具有极低的导通电阻,这意味着在导通状态下,电流通过器件时的损耗非常小。这一特性非常重要,因为它直接影响到器件的效率和热管理性能。在高电流应用中,低导通电阻可以显著减少能量损耗。

    - 高开关速度:STW7NK90Z具有快速的开关速度,能够在高频率下高效工作。这对于开关电源和其他需要快速切换的应用非常关键。快速的开关速度不仅提高了效率,还减少了电磁干扰(EMI)的产生。

    - 耐高压:STW7NK90Z的击穿电压高达600V,使其能够在高压应用中安全运行。这一特性使其非常适合用于需要高压处理能力的工业和汽车电子应用中,确保器件在恶劣条件下的稳定性和可靠性。

    - 低栅极电荷(Qg):STW7NK90Z的低栅极电荷使其在开关过程中所需的能量较少,从而减少了驱动损耗和开关时间。这对于提高整体系统效率和降低驱动电路的复杂性非常有益。

    - 高功率密度:STW7NK90Z具有高功率密度,能够在较小的封装中提供高性能。这使其非常适合于空间有限但要求高性能的应用,如现代消费电子和便携设备中。

    综上所述,STW7NK90Z作为一种高性能的N沟道MOSFET,凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,在现代电子技术中占据了重要地位。无论是在电源管理、汽车电子、工业控制还是消费电子和可再生能源系统中,STW7NK90Z都展现了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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