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场效应MOS管STW60NM50N参数

PD最大耗散功率:446WID最大漏源电流:68AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.043ΩVRDS(ON)ld通态电流:34AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW60NM50N是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电力电子和工业控制领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)中,STW60NM50N被用作开关元件。其高效的开关特性和低导通电阻使其非常适合这些高频率和高效率的应用。

    2. 电动汽车:STW60NM50N被广泛应用于电动汽车的电池管理系统(BMS)和电机控制系统。其高耐压和高电流处理能力能够满足电动汽车对可靠性和性能的严格要求。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STW60NM50N用于太阳能逆变器的功率变换部分。它能有效地处理来自太阳能电池板的不稳定电流,从而提高整体系统的效率。

    4. 工业自动化设备:在工业自动化中,STW60NM50N被用作驱动电机、控制阀门等设备的关键元件。其耐用性和高效能使其在工业环境中表现出色。

    5. 消费电子:在高性能的家用电器和电子产品中,STW60NM50N被用来控制电机和电源部分。其小型化和高效能使其成为这些应用的理想选择。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:STW60NM50N具有高达500V的耐压能力,适用于需要高耐压的应用场景,如电源管理和工业控制。

    - 低导通电阻:其导通电阻仅为0.055Ω,这意味着在开关过程中能量损耗较低,提高了整体效率。

    - 高电流处理能力:STW60NM50N的最大连续漏极电流为60A,适合高电流需求的应用,如电动汽车和工业设备。

    - 快速开关速度:它具有极快的开关速度(典型值为35ns),这使其在高频应用中能够快速响应,提高了系统的动态性能。

    - 高热导性能:该器件设计有较好的热导性能,能够有效散热,确保在高功率条件下的可靠运行。

    - 增强的抗冲击能力:STW60NM50N还具有良好的抗冲击和抗干扰能力,使其在复杂的电磁环境中依然能够稳定工作。

    综上所述,STW60NM50N在电力电子和工业控制领域的广泛应用和优越性能使其成为工程师和设计师的首选元件。其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点,使其在各种应用中表现突出。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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