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场效应MOS管STW50NB20参数

PD最大耗散功率:280WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW50NB20是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理领域。以下是其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电动汽车:在电动汽车中,STW50NB20常被用作电机控制器中的关键元件。其高电流处理能力和快速切换特性使其适合在高功率需求的电动机中使用,能够有效提高电动汽车的整体性能和效率。

    2. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STW50NB20用于逆变器模块。它能高效转换直流电为交流电,帮助太阳能系统实现更高的能量转换效率,减少能量损耗。

    3. 电源适配器:STW50NB20广泛应用于各种电源适配器中,如笔记本电脑、手机充电器等。它的高效能和高可靠性保证了电源适配器的稳定运行,提升了转换效率,减少了发热。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STW50NB20起到关键作用,确保电力在停电时能够持续供应。它的快速响应特性使其能够迅速切换电源路径,提供可靠的电力保障。

    5. 工业控制设备:STW50NB20在工业控制设备中,如变频器和伺服驱动器中,提供了高效能和可靠性的功率控制。它能承受高电流和高电压,确保设备的长期稳定运行。

    二、参数特点:

    - 最大漏极-源极电压(Vds):200V。STW50NB20可以承受高达200伏的漏极-源极电压,适合高电压应用场景。

    - 最大连续漏极电流(Id):50A。在理想条件下,STW50NB20能够处理高达50安培的连续电流,适用于需要处理大电流的应用。

    - 导通电阻(Rds(on):最大值为0.022Ω。低导通电阻使STW50NB20在导通状态下的功率损耗更低,提高了整体系统的效率。

    - 门极电荷(Qg):典型值为140nC。STW50NB20具有较低的门极电荷,能够实现快速开关,从而提升电源管理系统的响应速度和效率。

    - 工作温度范围:-55°C至175°C。STW50NB20能够在宽广的温度范围内工作,适应各种严苛的环境条件。

    综上所述,STW50NB20凭借其优异的电气特性和可靠性,在电动汽车、太阳能逆变器、电源适配器、UPS和工业控制设备等多种应用场景中得到了广泛应用。其高电压、高电流处理能力,以及低导通电阻和快速开关特性,使其成为高效能电源管理解决方案中的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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