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场效应MOS管STW40N60M2参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:40AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.045ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW40N60M2是一款场效应晶体管(FET),具有广泛的应用场景和参数特点。下面我们将分别介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源系统:STW40N60M2常被用于电源系统中的开关模式电源。在这些系统中,它能够提供高效的功率转换,从而实现高性能和稳定的电源输出。

    2. 电机驱动:由于其高电流和低导通电阻特性,STW40N60M2在电机驱动领域得到广泛应用。它可以作为电机驱动器中的开关元件,用于控制电机的转速和方向。

    3. 照明系统:在LED照明系统中,STW40N60M2可以作为开关器件,实现对LED灯的高效驱动和控制,从而提高照明系统的能效和稳定性。

    4. 电动车充电器:对于电动车充电器,STW40N60M2可用于设计高效的充电控制电路,确保电池充电过程的安全和稳定性。

    5. 工业自动化:在工业自动化系统中,STW40N60M2常用于开关电源单元、马达控制器和其他高功率电子装置,以实现对工业设备的精确控制和高效能量转换。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):STW40N60M2具有低导通电阻,能够在开关状态下减小功率损耗,提高效率。

    2. 高耐压能力:作为一款600V的MOSFET,STW40N60M2能够承受较高的电压,适用于各种高压应用场景。

    3. 高电流承受能力:具有较高的电流承受能力,可用于处理大功率的电流负载,如电机驱动等高功率应用。

    4. 快速开关速度:STW40N60M2具有快速的开关速度,可以实现快速的开关动作,降低开关过程中的能量损耗。

    5. 可靠性:由于采用了先进的技术和材料,STW40N60M2具有良好的可靠性和稳定性,适用于各种工业和商业应用环境。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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