收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管STW35N65M5参数

场效应MOS管STW35N65M5参数

PD最大耗散功率:180WID最大漏源电流:27AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.98ΩVRDS(ON)ld通态电流:13.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    STW35N65M5是一款用于高效能电力电子设备的功率MOSFET(场效应晶体管),其主要应用场景包括但不限于。

    一、应用场景:

    1. 逆变器:在太阳能或风能发电系统中,STW35N65M5常用于逆变器中,以将直流电转换为交流电。由于其高效能和高开关速度,能有效提高系统的转换效率和稳定性。

    2. 电动汽车充电站:随着电动汽车的普及,充电站需求量大增。STW35N65M5在高功率快速充电站中起着关键作用,能够处理大电流并确保快速充电的安全和稳定性。

    3. 电机驱动器:工业电机和家用电器中的电机驱动器使用STW35N65M5来实现高效的电力控制和转换。其低导通电阻特性有助于降低能耗,提高系统的整体效率。

    4. 不间断电源(UPS):在数据中心或关键任务设备中,UPS系统至关重要。STW35N65M5可在这些系统中用于高效的电源管理,确保设备在断电情况下仍能稳定运行。

    5. 电源适配器:在各种电子设备的电源适配器中,STW35N65M5可实现高效能的电压转换和电流调节,从而减少能量损失,提高设备的可靠性和寿命。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STW35N65M5具有650V的高击穿电压,这使其在高压应用中具备极高的可靠性和安全性,适用于需要高电压耐受能力的场合。

    - 低导通电阻:STW35N65M5的导通电阻极低,仅为35毫欧姆。这显著降低了在高电流工作时的功耗,提高了整体系统的效率。

    - 高开关速度:由于其设计优化,STW35N65M5具有极快的开关速度,能够有效减少开关损耗,使其在高频开关电路中表现优异。

    - 热性能优越:STW35N65M5的热阻低,使其在高功率应用中能够更有效地散热,避免过热导致的性能下降或器件损坏。

    - 坚固耐用:STW35N65M5采用先进的制造工艺,具备高可靠性和长寿命,能够在严苛的工作环境中稳定运行。

    综上所述,STW35N65M5因其优越的电气性能和可靠的工作特性,在各类高效能电力电子设备中有着广泛的应用和良好的市场前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号