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场效应MOS管STW34N65M5参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:28AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.11ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW34N65M5是一款意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。它在工业、汽车和消费类电子设备中有广泛的应用。下面我们将分别介绍STW34N65M5的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 工业控制设备:STW34N65M5在工业控制设备中常用于电源管理、电机控制以及高效能转换器等应用。其高电压和高电流处理能力使其在变频器、伺服驱动器等设备中表现出色。

    2. 汽车电子:在汽车电子领域,STW34N65M5被广泛用于电动汽车的电池管理系统(BMS)、电动助力转向系统(EPS)以及电动驱动系统等。其高可靠性和耐高温特性确保了车辆在极端环境下的稳定运行。

    3. 消费电子:STW34N65M5也适用于高效能消费电子产品,例如高端电源适配器、智能家居设备和音视频设备等。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升这些设备的效率和性能。

    4. 可再生能源系统:在太阳能和风能发电系统中,STW34N65M5被用于DC-DC转换器和逆变器中,帮助实现高效能的电能转换和传输。

    5. 通信设备:STW34N65M5在通信设备的开关电源和基站电源中也有重要应用。其高开关速度和低损耗特性使其成为确保通信设备高效运行的关键组件。

    二、参数特点:

    - 高电压处理能力:STW34N65M5的最大漏源电压(Vds)为650V,这使其能够在高电压应用中稳定工作,适用于各种高压电源转换器和驱动器。

    - 高电流处理能力:STW34N65M5的连续漏极电流(Id)为34A,脉冲漏极电流更高。这一特点使其在高电流应用中表现优异,能够处理较大的电流负载。

    - 低导通电阻:STW34N65M5的导通电阻(Rds(on))非常低,典型值为0.07欧姆。这有助于降低功耗,提高系统的效率,尤其是在高频开关电路中表现尤为显著。

    - 快速开关速度:STW34N65M5具有快速的开关特性,降低了开关损耗,提升了整体系统的效率。其栅极电荷(Qg)为110nC,确保在高频操作时仍能保持高效性能。

    - 可靠性和耐用性:STW34N65M5采用了先进的封装技术和高质量的材料,能够在苛刻的工作环境中提供长时间稳定的性能。这使得其在工业和汽车等高要求应用中具有极高的可靠性。

    综上所述,STW34N65M5凭借其优异的电气特性和广泛的应用场景,成为了高性能功率MOSFET中的重要成员。其在工业控制、汽车电子、消费电子、可再生能源系统以及通信设备等领域都有着重要的应用,展现出了强大的性能优势和应用前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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