PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:26AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.125ΩVRDS(ON)ld通态电流:13AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 逆变器和转换器:STW33N60M2在逆变器和DC-DC转换器中表现出色,因其高耐压和低导通电阻,使得电能转换效率大大提升。在太阳能光伏系统和风能转换系统中,这款MOSFET被广泛应用以优化能量转换效率。
2. 电机驱动:在工业和家用电器中的电机驱动应用中,STW33N60M2因其快速切换速度和低开关损耗,能够有效提升系统的性能和可靠性。例如,在电动汽车、工业机器人和HVAC系统中,这款MOSFET是关键元件。
3. 电源供应器:STW33N60M2在开关电源(SMPS)中表现出色,尤其是在高功率密度和高效率的电源设计中。它的高耐压能力确保了在不同负载条件下的稳定性能,是服务器电源和通信设备电源的理想选择。
4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STW33N60M2的高效能和高可靠性确保了电力供应的连续性和稳定性,尤其是在电网不稳定的情况下,它能提供及时的电力转换和备份。
5. 照明系统:LED驱动器和其他高效照明系统中,STW33N60M2由于其高效率和低热损耗,能够提供稳定的电流驱动,延长LED寿命并提升整体系统效率。
二、参数特点:
- 高耐压:STW33N60M2具备高达600V的耐压能力,使其能够在高电压环境下稳定工作。这一特性特别适合高压电源和电机驱动等应用,确保系统的安全性和可靠性。
- 低导通电阻:STW33N60M2的RDS(on)值非常低(典型值为0.065Ω),这意味着在导通状态下,它的功率损耗较小,从而提升了整体系统的效率并减少了热量的产生。
- 高开关速度:这款MOSFET具备快速的开关速度(开关时间约为50ns),这使其在高频应用中表现出色,如开关电源和高频逆变器等。快速的开关速度有助于降低开关损耗,提高系统效率。
- 强大的热性能:STW33N60M2具有良好的热性能,最大结温可达到150°C。这使得它在高功率应用中能够承受较大的热应力,确保在苛刻的工作条件下仍能保持稳定运行。
- 坚固的结构和可靠性:STW33N60M2采用先进的制造工艺,确保其具有较高的可靠性和长寿命。其坚固的结构使其在恶劣环境下也能保持优异的电性能,适合各种工业和商业应用。
综上所述,STW33N60M2以其高耐压、低导通电阻、高开关速度、强大的热性能和高可靠性,成为电力电子领域中的关键元件,被广泛应用于逆变器、电机驱动、电源供应器、不间断电源和照明系统等多个场景。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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