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场效应MOS管STW33N20参数

PD最大耗散功率:180WID最大漏源电流:33AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.085ΩVRDS(ON)ld通态电流:16AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW33N20是一种常用于功率管理和开关应用的N沟道功率MOSFET晶体管。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STW33N20常被用于直流-直流转换器、AC-DC电源适配器、稳压器等设备中。这些应用场景需要高效率和高可靠性的功率管理解决方案,而STW33N20具备低导通电阻和高开关速度,可以满足这些要求。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,STW33N20作为开关元件使用,可以控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和耐高压特性使其非常适合用于电动工具、电动汽车和工业自动化设备的电机驱动。

    3. 不间断电源(UPS):STW33N20在不间断电源系统中用作逆变器和整流器的开关器件,确保系统在主电源故障时能够持续供电。其高效率和高可靠性是UPS系统的重要需求。

    4. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,STW33N20被用作光伏逆变器中的开关元件,负责将直流电转换为交流电供给电网。其高效能和长寿命可以显著提高整个光伏系统的性能。

    5. 音频放大器:STW33N20也常用于音频放大器中,作为开关元件,可以提高音频信号的放大效率和音质。其低导通电阻和高线性度是音频应用中的重要特点。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STW33N20具有极低的导通电阻(RDS(on)),通常在几毫欧的范围内。这意味着在高电流通过时,功耗较低,从而提高了整体效率。

    - 高击穿电压:STW33N20的击穿电压高达200V,能够在高压环境下稳定工作,适用于需要高耐压的应用场景。

    - 高电流承载能力:STW33N20最大连续漏极电流(ID)可以达到33A,适合用于大电流应用,如电机驱动和电源管理系统。

    - 快速开关速度:STW33N20具有快速的开关速度,这使其能够在高频应用中高效工作,减少开关损耗,提高系统的能效。

    - 可靠性和热性能:STW33N20采用先进的制造工艺,确保其在高温和高压环境下具有优异的稳定性和可靠性。其热阻低,有助于散热管理,延长器件寿命。

    综上所述,STW33N20以其卓越的电气性能和可靠性,被广泛应用于各种高效能的电子设备中。其低导通电阻、高击穿电压、高电流承载能力、快速开关速度和优异的热性能,使其成为众多功率管理和开关应用的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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