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场效应MOS管STW32N65M5参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:24AV(BR)DSS漏源击穿电压:710VRDS(ON)Ω内阻:0.119ΩVRDS(ON)ld通态电流:12AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW32N65M5是一种常用于电力电子领域的功率MOSFET晶体管。它在许多应用中都展现了卓越的性能和可靠性。下面将详细介绍STW32N65M5的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:由于其高击穿电压(650V),STW32N65M5非常适用于开关模式电源(SMPS)和直流-直流转换器。这些转换器常用于电脑、通信设备和工业自动化系统中,需要高效能和稳定性的电源管理。

    2. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STW32N65M5能有效地将直流电转换为交流电,其高效能和低损耗特性使其在此领域备受青睐。它能够在高频率下工作,减少了转换损耗,提升了整体系统效率。

    3. 电动汽车充电器:电动汽车充电器要求高效能和高可靠性,STW32N65M5的高耐压和低导通电阻特性使其成为理想选择。它能在高负载条件下提供稳定的性能,确保充电过程的安全和高效。

    4. 电机驱动器:在工业和家用电器中,电机驱动器需要高效的功率转换能力。STW32N65M5的高电流能力和快速开关速度使其适用于各种电机控制应用,如风扇、电动工具和家电设备。

    5. 照明设备:特别是在LED照明驱动电路中,STW32N65M5的高效能和长寿命特性使其能够在严苛的工作条件下提供稳定的性能。它能够有效地管理电能,延长LED灯具的使用寿命。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STW32N65M5具有650V的击穿电压,这使其能够在高压环境下稳定工作,适合各种高压应用场景。

    - 低导通电阻:其典型的导通电阻为0.085Ω,这意味着在导通状态下能量损耗非常低,有助于提升系统的整体效率。

    - 高电流能力:STW32N65M5能够承受高达32A的连续漏极电流,这使其能够在高负载条件下稳定运行,适用于大功率应用。

    - 快速开关速度:具有较快的开关速度,使其在高频率应用中表现优异,减少开关损耗并提高系统效率。

    - 热特性优越:STW32N65M5具有良好的热管理性能,能够在高温环境下保持稳定工作,确保长期的可靠性和耐用性。

    综上所述,STW32N65M5由于其高压、高效能和低损耗的特性,成为电力电子领域的理想选择。无论是在电源转换、太阳能发电、电动汽车充电、电机驱动还是照明设备中,STW32N65M5都展现出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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