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场效应MOS管STW31N65M5参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:22AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.148ΩVRDS(ON)ld通态电流:11AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW31N65M5是一款高性能的N沟道功率MOSFET,其广泛应用于电源管理、电机控制和其他需要高效开关的场合。以下是STW31N65M5的应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STW31N65M5广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及其他电源转换设备中。其低导通电阻和快速开关特性,使其在高效率电源设计中尤为重要,能够显著减少能量损耗,提高系统效率。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,STW31N65M5因其高耐压和高电流承载能力,被用于各种工业电机控制应用,包括电动汽车驱动器、工业机器人和家用电器中的电机控制模块。其稳定的性能和高可靠性确保了电机运行的平稳和高效。

    3. 光伏逆变器:STW31N65M5在光伏逆变器中也有广泛应用。光伏系统需要高效的电能转换装置,STW31N65M5的高开关速度和低损耗特性,使其成为理想的选择,能够有效提升光伏系统的整体转换效率。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统的电池管理系统中,STW31N65M5被用于电池保护和电压调节。其高耐压和低导通电阻确保了电池的安全性和高效能量传输。

    5. 高频开关电路:STW31N65M5适用于高频开关电路,如DC-DC转换器、逆变器等。其快速开关特性和低寄生电容,使其在高频应用中表现出色,能够显著提高电路的开关速度和效率。

    二、参数特点:

    - 高耐压特性:STW31N65M5具有650V的耐压能力,能够在高压环境中稳定工作,适用于需要高耐压的应用场合,如工业电源和高压电机控制。

    - 低导通电阻:STW31N65M5的导通电阻(Rds(on))非常低,仅为0.1Ω左右。这意味着在导通状态下,器件的能量损耗非常低,有助于提高整体系统的效率。

    - 快速开关速度:STW31N65M5具有快速的开关速度,这得益于其优化的栅极驱动和低栅极电荷。其开关时间短,能够在高频应用中有效减少开关损耗,提升系统效率。

    - 高电流承载能力:STW31N65M5能够承载高达31A的连续电流,适用于大电流应用,如电机驱动和高功率电源管理系统。其强大的电流处理能力确保了系统的稳定性和可靠性。

    - 低寄生电容:STW31N65M5的寄生电容较低,这使得其在高频应用中表现出色。低寄生电容有助于减少开关损耗和电磁干扰,提高电路的整体性能和可靠性。

    综上所述,STW31N65M5是一款性能卓越的功率MOSFET,适用于多种高效能和高可靠性的应用场合,其卓越的参数特点使其在市场上备受欢迎。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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