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场效应MOS管STW30NM60D参数

PD最大耗散功率:312WID最大漏源电流:30AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.145ΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW30NM60D是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子和电力系统中。本文将详细介绍STW30NM60D的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STW30NM60D在开关电源中具有广泛的应用。其高效的开关特性能够有效减少电能损耗,提高电源的整体效率。特别是在AC-DC和DC-DC转换器中,这款MOSFET因其出色的开关速度和低导通电阻而备受青睐。

    2. 电动汽车和混合动力汽车:由于STW30NM60D具备高耐压和大电流能力,它在电动汽车和混合动力汽车的电机控制、电池管理系统中有着重要应用。其高效能和稳定性能够显著提升车辆的性能和续航能力。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,STW30NM60D用于逆变器电路。其高效的电流处理能力和耐高压特性,使得太阳能发电系统能够更稳定和高效地运行,有效地将直流电转换为交流电。

    4. 工业控制系统:STW30NM60D在工业控制系统中也有广泛应用,包括电机驱动、变频器和伺服控制等领域。其高频率和高效率的特点,使得工业设备在运行过程中更加节能高效。

    5. 照明系统:在LED照明系统中,STW30NM60D能够提供稳定高效的电流控制,确保LED灯具的长寿命和高亮度。其低热耗散和高开关速度也是照明系统中不可或缺的优势。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(Rds(on)):STW30NM60D的导通电阻低至0.065Ω,这意味着在导通状态下电流通过MOSFET时,损耗的能量非常少,有助于提高整个系统的效率和减少发热量。

    - 击穿电压(Vds):该器件的漏源极击穿电压高达600V,使其能够在高压环境下安全工作,非常适合应用于需要高电压操作的场景,如电力转换和工业电机驱动。

    - 漏极电流(Id):STW30NM60D能够承受高达30A的连续漏极电流,突显了其在处理大电流应用中的优越性能。这样的电流能力确保了在高负载条件下的可靠运行。

    - 栅极电荷(Qg):其典型的总栅极电荷仅为63nC,意味着STW30NM60D能够以较低的驱动能量进行快速开关操作,这对于高频应用尤为重要,如开关电源和高频逆变器。

    - 热阻(Rthj-c):STW30NM60D的结到壳的热阻低至0.5℃/W,表明它具有优秀的热管理能力。这种特性确保了在高功率和长时间工作条件下,器件能够维持稳定的性能,避免过热损坏。

    通过上述详细分析,可以看出STW30NM60D不仅在多种应用场景中表现出色,而且其独特的参数特点使其在高效能和稳定性方面具备显著优势。这款MOSFET是众多高性能电子设备和系统设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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