收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管STW21NM50N参数

场效应MOS管STW21NM50N参数

PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.19ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    STW21NM50N是一种N沟道功率MOSFET,以其高效能和稳定性广泛应用于各种领域。本文将详细介绍STW21NM50N的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STW21NM50N常用于开关电源中,特别是在高效率、低损耗的电源转换中。其快速开关特性使其在高频应用中表现出色,有效提升了整体电源的效率。

    2. 电动工具:在电动工具中,STW21NM50N能够承受高电流和高压环境,提供稳定的电源管理和控制。这使得电动工具在高负载下依然能够保持可靠的运行。

    3. 电机驱动:STW21NM50N适用于各种电机驱动应用,包括家用电器和工业设备中的电机控制。其高电流处理能力和低导通电阻保证了电机在运行中的高效率和低热损耗。

    4. 电源适配器:在电源适配器设计中,STW21NM50N因其高击穿电压和低漏电流特性,被广泛用于确保电源适配器的高可靠性和长寿命。

    5. 光伏逆变器:在光伏逆变器中,STW21NM50N被用作开关器件,通过其高效的电能转换特性,帮助实现太阳能的高效利用和转换。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压(Vds):STW21NM50N的击穿电压高达500V,使其适用于需要高电压处理能力的应用场景,如工业设备和高功率电源。

    - 低导通电阻(Rds(on):该型号的典型导通电阻为0.19Ω(Vgs=10V),在实际应用中表现为更低的能量损耗和更高的系统效率。

    - 高电流处理能力(Id):STW21NM50N可以处理高达20A的连续漏极电流,这使其在需要处理大电流的应用中(如电动工具和电机驱动)表现尤为出色。

    - 快速开关速度:STW21NM50N具有快速的开关特性,能够在高频应用中减少开关损耗,提高整体系统效率。这对于开关电源和逆变器应用尤为重要。

    - 低栅极电荷(Qg):该器件的总栅极电荷较低,为69nC,这意味着其在开关过程中所需的驱动功率较小,有助于提升整体电路的效率和性能。

    STW21NM50N凭借其优异的电气性能和广泛的应用领域,成为电源管理、工业控制和消费电子等多个领域的理想选择。通过其高效能和可靠性,STW21NM50N在现代电子设备中扮演着至关重要的角色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号