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场效应MOS管STW20N65M5参数

PD最大耗散功率:130WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.19ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW20N65M5是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电力电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STW20N65M5在开关电源中扮演关键角色,特别是在高效能和高频率的开关电源设计中,具有卓越的导通和开关性能。其高击穿电压和低导通电阻特性使其适用于各类AC-DC和DC-DC转换器。

    2. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STW20N65M5用于逆变器和整流器模块,提供稳定的电力输出和高效的功率转换。这款MOSFET能够承受高电压和大电流,是保障UPS系统高可靠性的重要组件。

    3. 电动汽车充电器:随着电动汽车的普及,充电器需求不断增加。STW20N65M5由于其高效能和高可靠性,在电动汽车充电器中广泛应用,确保快速、稳定的充电过程。

    4. 工业自动化设备:在各类工业自动化设备中,STW20N65M5用于电机驱动、控制器等模块,提供高效的功率转换和控制能力,支持工业生产的高效和智能化。

    5. 光伏逆变器:光伏逆变器将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,其中STW20N65M5作为关键组件,确保逆变器高效、可靠地工作,提升太阳能发电系统的整体效能。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STW20N65M5的击穿电压高达650V,能够承受高电压环境中的操作,适用于高压应用场景。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻仅为0.18Ω,导通时的损耗极低,提高了整个电路的效率和可靠性。

    - 高脉冲电流能力:STW20N65M5具备高达80A的脉冲电流能力,能够处理高峰值电流,适用于瞬态大电流需求的应用。

    - 快速开关速度:其开关速度快,能够在高频率下高效运行,减少开关损耗,提升系统整体效率。

    - 低栅极电荷:STW20N65M5的栅极电荷低,驱动能耗小,适合用在对能效要求高的应用中。

    综上所述,STW20N65M5通过其出色的电气性能和多样的应用场景,成为现代电力电子系统中的重要元件。其高效、可靠和耐用的特性使其在各类电力转换和控制应用中得到广泛认可和使用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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