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场效应MOS管STW19NM65N参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:15.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.27ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW19NM65N是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STW19NM65N在开关电源中扮演着重要角色,尤其在高效转换和低功耗设计中。这种MOSFET可以在高频率下工作,减少转换损耗,提高电源效率。

    2. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,STW19NM65N能提供高效的能量转换能力,适用于各种电子设备的电压调节和能量管理。例如,笔记本电脑和移动设备的电源管理模块中常常使用这种MOSFET。

    3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV):STW19NM65N在电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统(BMS)和动力传动系统中应用广泛。其高效能和可靠性使其成为这些系统中功率转换和控制的理想选择。

    4. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,STW19NM65N被用于驱动各种电机和执行器。其高电流处理能力和快速开关特性使其在这些应用中表现出色。

    5. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,STW19NM65N用于光伏逆变器的功率转换部分。其高效率和低导通电阻特性能够最大限度地提高光伏系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STW19NM65N的导通电阻非常低,这意味着在导通状态下的功率损耗较小,有助于提高整体系统的效率。

    - 高击穿电压(VDS):这种MOSFET具有650V的高击穿电压,使其能够在高压应用场景中安全工作,提供可靠的电压隔离和保护。

    - 快速开关速度:STW19NM65N具有极快的开关速度,这对于需要高频率操作的应用(如开关电源和DC-DC转换器)非常重要。快速的开关速度可以减少开关损耗,提高系统效率。

    - 高峰值电流处理能力:STW19NM65N能够处理高达19A的峰值电流,使其适用于需要高电流处理能力的应用,如电动汽车和工业控制系统。

    - 耐高温性能:STW19NM65N具备优异的耐高温性能,能够在高温环境下稳定工作。这对工业应用和汽车电子中的高温操作环境尤为重要。

    综上所述,STW19NM65N以其出色的性能和广泛的应用场景,成为许多高效能电源管理和转换系统中的首选元件。无论是在消费电子、工业控制还是新能源汽车领域,这款MOSFET都展示出了其强大的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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